Дома
За нас
За компанијата
Најчесто поставувани прашања
Производи
Тантал карбид облога
Резервни делови на процесот на раст на единечен кристал
Процес на епитаксија на SiC
УВ LED приемник
Силициум карбид слој
Цврст силициум карбид
Силиконска епитаксија
Епитаксија на силициум карбид
MOCVD технологија
RTA/RTP процес
Процес на офорт на ICP/PSS
Друг процес
ALD
Специјален графит
Пиролитичка јаглеродна облога
Стаклестото јаглеродно обложување
Порозен графит
Изотропен графит
Силиконизиран графит
Графитен лист со висока чистота
Јаглеродни влакна
C/C Композитен
Ригиден филц
Мека филц
Керамика од силикон карбид
SiC прав со висока чистота
Оксидациона и дифузна печка
Друга полупроводничка керамика
Полупроводнички кварц
Керамика на алуминиум оксид
Силициум нитрид
Порозен SiC
Нафора
Технологија на површински третман
Техничка служба
Вести
Вести на компанијата
Вести од индустријата
Преземи
Преземи
Испрати барање
Контактирајте не
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Веб мени
Дома
За нас
За компанијата
Најчесто поставувани прашања
Производи
Тантал карбид облога
Резервни делови на процесот на раст на единечен кристал
Процес на епитаксија на SiC
УВ LED приемник
Силициум карбид слој
Цврст силициум карбид
Силиконска епитаксија
Епитаксија на силициум карбид
MOCVD технологија
RTA/RTP процес
Процес на офорт на ICP/PSS
Друг процес
ALD
Специјален графит
Пиролитичка јаглеродна облога
Стаклестото јаглеродно обложување
Порозен графит
Изотропен графит
Силиконизиран графит
Графитен лист со висока чистота
Јаглеродни влакна
C/C Композитен
Ригиден филц
Мека филц
Керамика од силикон карбид
SiC прав со висока чистота
Оксидациона и дифузна печка
Друга полупроводничка керамика
Полупроводнички кварц
Керамика на алуминиум оксид
Силициум нитрид
Порозен SiC
Нафора
Технологија на површински третман
Техничка служба
Вести
Вести на компанијата
Вести од индустријата
Преземи
Преземи
Испрати барање
Контактирајте не
Пребарување производ
Јазик
English
Español
Português
русский
Français
日本語
Deutsch
tiếng Việt
Italiano
Nederlands
ภาษาไทย
Polski
한국어
Svenska
magyar
Malay
বাংলা ভাষার
Dansk
Suomi
हिन्दी
Pilipino
Türkçe
Gaeilge
العربية
Indonesia
Norsk
تمل
český
ελληνικά
український
Javanese
فارسی
தமிழ்
తెలుగు
नेपाली
Burmese
български
ລາວ
Latine
Қазақша
Euskal
Azərbaycan
Slovenský jazyk
Македонски
Lietuvos
Eesti Keel
Română
Slovenski
मराठी
Srpski језик
Излез од менито
Дома
Преземи
Преземи
Повеќе детали за параметрите на производите, посеопфатни технички упатства, ве молиме погледнете го нашиот PDF или контактирајте не директно.
Преземи
Политика за безбедност, здравје и животна средина на VeTek полупроводници
Полупроводник Ветек
SiC прав со висока чистота
«
1
»
Вести Препораки
Силиконски карбид наноматеријали
Гледај Повеќе >>
Производство на чипови: таложење на атомски слој (ALD)
Гледај Повеќе >>
Ветексемион сјае на меѓународната изложба во Шангај во 2025 година
Гледај Повеќе >>
Карактеристики на силиконската епитаксика
Гледај Повеќе >>
Проблемите во процесот на гравирање
Гледај Повеќе >>
Зошто не успева графитниот сусцептор обложен со SiC? - Полупроводник VeTek
Гледај Повеќе >>
WhatsApp
Tina
QQ
TradeManager
Skype
E-Mail
VeTek
VKontakte
WeChat
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
Reject
Accept