Порозен графит

Производителите на SIC Substrate обично користат дизајн на сад со порозен цилиндер на графит за процесот на топло поле. Овој дизајн ја зголемува областа на испарување и обемот на полнење. Развиена е нов процес за решавање на дефектите на кристалот, стабилизирање на масовниот трансфер и подобрување на квалитетот на кристалот SIC. Вклучува метод за фиксација на кристална фиока без семе за термичко проширување и олеснување на стресот. Сепак, ограниченото снабдување со пазарот на графит и порозен графит претставува предизвици за квалитетот и приносот на единечните кристали на SIC.

Клучни карактеристики на VETEK полупроводнички порозен графит:

1. Висока толеранција на температурата на околината - производот може да издржи на околината на 2500 степени Целзиусови, покажувајќи одлична отпорност на топлина.

.

3. Ултра -висока чистота - Користениот порозен графитски материјал постигнува високо ниво на чистота преку ригорозни процеси на прочистување.

4.екселенска способност за врзување на честички на површината - Полупроводникот на Vetek има одлична можност за врзување на површинските честички и отпорност на адхезија на прав.

.

6.Калалност Контрола и стабилност - Полупроводникот на Ветек потенцира висока чистота, ниска содржина на нечистотии и хемиска стабилност за да се обезбеди квалитет во растот на кристалот.

.

8. Овозможена солена дифузија и стапка на раст - порозната структура промовира дури и солена дистрибуција, подобрувајќи ја стапката на раст и униформноста на кристалите.