Сик во прав со висока чистота

1. Висока чистота: Содржината на SIC е 99.9999%, содржината на нечистотии е многу мала, што го намалува негативното влијание врз перформансите на полупроводници и фотоволтаични уреди и ја подобрува конзистентноста и сигурноста на производите.

2. Одлични физички својства: вклучително и висока цврстина, голема јачина и голема отпорност на абење, така што може да одржи добра структурна стабилност за време на обработката и употребата.

3. Висока термичка спроводливост: Може брзо да се спроведе топлина, да помогне во подобрување на ефикасноста на дисипацијата на топлина на уредот, да се намали оперативната температура, а со тоа да се продолжи услужниот век на уредот.

4. Коефициент на ниска експанзија: Промената на големината е мала кога температурата се менува, намалувајќи го пукањето на материјалот или падот на перформансите предизвикано од термичко проширување и контракција.

5. Добра хемиска стабилност: Киселина и алкална отпорност на корозија, можат да останат стабилни во сложено хемиско опкружување.

6. Широк карактеристики на јазот на опсегот: Со голема јачина на електричното поле и брзина на наноси на заситеност на електроните, погодна за производство на висока температура, висок притисок, висока фреквенција и уреди за полупроводници со голема моќност.

7. Висока подвижност на електрони: Поволно е да се подобри брзината на работа и ефикасноста на полупроводничките уреди.

8. Заштита на животната средина: Релативно мало загадување на животната средина во процесот на производство и употреба.

Индустрија за полупроводници:

- Материјал на подлогата: SIC во прав со висока чистота може да се користи за производство на подлога на силиконски карбид, кој може да се користи за производство на висока фреквенција, висока температура, уреди за напојување под висок притисок и уреди RF.

Епитаксичен раст: Во процесот на производство на полупроводници, силиконски карбид во прав со висока чистота може да се користи како суровина за епитаксичен раст, што се користи за одгледување висококвалитетни силиконски карбидни епитаксични слоеви на подлогата.

-Пакување материјали: Силиконски карбид во прав со висока чистота може да се користи за производство на материјали за пакување на полупроводници за подобрување на перформансите на дисипација на топлина и сигурност на пакетот.

Фотоволтаична индустрија:

Кристални силиконски клетки: Во процесот на производство на кристални силиконски клетки, силиконски карбид во прав со висока чистота може да се користи како извор на дифузија за формирање на p-n крстосници.

- Батерија со тенок филм: Во процесот на производство на батерија со тенок филм, силиконски карбид во прав со висока чистота може да се користи како цел за распрснување на таложење на силиконски карбид филм.