Веб мени

Пребарување производ

Јазик

Вести

Вести

Драго ни е да споделиме со вас за резултатите од нашата работа, новостите за компанијата и да ви дадеме навремени случувања и услови за назначување и отстранување на персоналот.
Вести на компанијатаВести од индустријата
8-инчен SIC епитаксична печка и истражување на хомопитаксијален процес29 2024-08

8-инчен SIC епитаксична печка и истражување на хомопитаксијален процес

8-инчен SIC епитаксична печка и истражување на хомопитаксијален процес
Нафора за полупроводничка подлога: Материјални својства на силициум, GaAs, SiC и GaN28 2024-08

Нафора за полупроводничка подлога: Материјални својства на силициум, GaAs, SiC и GaN

Написот ги анализира својствата на материјалот на наполитанките од полупроводничка подлога како што се силициум, GaAs, SiC и GaN
Технологија на епитаксијата со ниска температура со седиште во ГАН27 2024-08

Технологија на епитаксијата со ниска температура со седиште во ГАН

Овој напис главно ја опишува епитаксијалната технологија со ниска температура базирана на ГАН, вклучително и кристалната структура на материјалите засновани на ГАН, 3.
X
Ние користиме колачиња за да ви понудиме подобро искуство во прелистувањето, да го анализираме сообраќајот на страницата и да ја персонализираме содржината. Со користење на оваа страница, вие се согласувате со нашата употреба на колачиња.Политика за приватност
ОтфрлиПрифати