Прстен за водич со порозен графит

Основни предности на производот

1. Гаранција за ултра-висока чистота и низок дефект

Усвојува процес на прочистување со вакуум со висока температура од 3000℃ за длабоко отстранување на неметалните нечистотии како што се кислород и азот, зголемувајќи ја чистотата на производот на ≥99,9995%. Ги елиминира кристалните дефекти предизвикани од нечистотија (на пример, микротубули, дислокации) од изворот, обезбедувајќи конзистентност и стабилност на електричните својства на единечните кристали SiC и поставувајќи цврста основа за висококвалитетен раст на кристалите.

2. Стабилност на ултра-висока температура и прецизна регулација на топлинското поле

Може да издржи екстремни високи температури од 2200℃ во аргон или вакуумска средина, работејќи постојано и стабилно повеќе од 1000 часа без омекнување или деформација. Производот има низок коефициент на термичка експанзија, што може ефикасно да го избегне пукањето на материјалот предизвикано од термички стрес. Поддржува дизајн на градиентна дистрибуција на порозност (15-30%) и ја оптимизира големината на порите (10-200μm) во комбинација со технологијата за симулација на CFD (Computational Fluid Dynamics), контролирајќи ја флуктуацијата на температурниот градиент во рамките на ±3℃ и значително ја подобрува униформноста на термичкото поле и конзистентноста на растот на кристалите.

3. Прилагодена адаптација и задоволство од целосно сценарио

• Адаптација на геометриски облик: Може прецизно да обработува сложени форми како што се прстенести буриња и повеќеслојни штитни структури според структурите на печката на клиентите за да се постигне совршено усогласување и инсталација.
• Прилагодување на површинскиот процес: Обезбедува персонализирани услуги за површинска обработка, како што се ултрапрецизно полирање и специјални премази, што значително ја подобрува отпорноста на корозија и работниот век на производот.

4. Потврдени перформанси и надградена ефикасност

• Кога се користи како основна компонента на топлинско поле во процесот на кристализација на PVT SiC, тоа е потврдено во практични сценарија:
• Стапката на раст на кристалите е зголемена за 15%-20% во споредба со традиционалните производи од графит, што значително го скратува производниот циклус.
• Износот на 4-инчните SiC монокристални наполитанки надминува 90%, што ефикасно ги намалува трошоците за производство.
• Циклусот на одржување на опремата е продолжен од конвенционалните 3 месеци на 6 месеци, со што се намалува фреквенцијата на одржување на исклучување и се подобрува ефикасноста на производството.
  
  

Апликативни сценарија

• Склопување на печка за раст на PVT: Служи како основна компонента за сублимација на материјалот од SiC и раст на кристалите, обезбедувајќи стабилна и униформа дистрибуција на топлинското поле за да се обезбеди непречен напредок на процесот на кристализација.
• Компонента за заштита на топлинско поле: уникатната порозна структура може ефикасно да го намали термичкиот стрес, да го намали абењето на опремата и да го продолжи севкупниот век на употреба на опремата.
• Додаток за поддршка на семените кристали: поседува висока механичка сила за стабилна поддршка на семените кристали, обезбедувајќи прецизност на насочениот раст на кристалите.
• Слој за дифузија на гас: ја оптимизира ефикасноста на преносот на гасната фаза, промовира еднообразно сублимирање и таложење на суровините и дополнително го подобрува квалитетот на еден кристал и стапката на раст.

Технички параметри

Основни конкурентни моменти

• Екстремни перформанси на високи температури: Одржува структурна стабилност на 2200℃ без омекнување или деформација, поддржувајќи континуирано работење повеќе од 1000 часа за да се задоволат екстремните барања на процесот.
• Приспособено решение за топлинско поле: Се потпира на технологијата за симулација на CFD за да го оптимизира дизајнот на градиентот на порите, прецизно усогласување на потребите на процесот на клиентите и подобрување на униформноста на кристалите и приносот на производот.
• Услуга за брз одговор: Обезбедува услуги за тестирање на усогласување на параметрите на процесот и испорачува прототип решенија во рок од 72 часа, помагајќи им на клиентите да ги забрзаат процесите на истражување и развој и производство.