Цврст филц со висока чистота

Епитаксијалниот раст на SiC е технологија за одгледување висококвалитетни силициум карбид тенки филмови на површината на подлогата. Овој процес е од суштинско значење за производство на полупроводнички уреди со силициум карбид со високи перформанси, како што се уреди за напојување со силициум карбид и RF уреди со силициум карбид. Во овој процес, околината за раст, вклучувајќи температура, проток на гас, притисок и други параметри, треба строго да се контролира за да се обезбеди раст на висококвалитетни епитаксијални слоеви на силициум карбид со висока чистота со добри електрични својства. SiC премазот Halfmoon графитните делови се основната компонента на епитаксијалниот раст на SIC, а крутиот филц со висока чистота главно ја игра улогата на зачувување на топлината на графитните делови од SiC слојот Halfmoon.

Цврстиот филц со висока чистота има добра топлинска спроводливост, што може рамномерно да ја распредели топлината на изворот на греење околу деловите од графитниот слој SiC Halfmoon и има добар ефект на зачувување на топлина. За време на епитаксиалниот раст на SiC, може да ја апсорбира топлината и полека да ја ослободи за да избегне локално прегревање или преладење, така што температурната разлика на површината на супстратот од силициум карбид се контролира во многу мал опсег, а температурната униформност обично може да достигне ± 1 - 2℃, што е многу важно за одгледување на епитаксијален слој од силициум карбид со униформа дебелина и конзистентни електрични својства.

Некои корозивни гасови, како што се Silane (SIH4) и пропан (C3H8), се користат како извори на реакција во SIC епитаксичен раст. Цврсто чистота на чистота има добра толеранција кон овие хемиски гасови и може да го одржи својот структурен интегритет во текот на циклусот на епитаксичен раст (што може да трае со часови или дури и десетици часови). И чистотата на цврста чистота на чистота е над 99,99%, и нема да ослободи супстанции што можат да го загадат епитаксијалниот слој во околината на реакцијата, со што ќе се обезбеди висока чистота на силиконскиот карбид епитаксичен слој.

Соодветната густина може да обезбеди механичка сила и топлинска спроводливост на крутиот филц со висока чистота. Додека обезбедува топлинска спроводливост, може да го минимизира мешањето на надворешните фактори врз епитаксиалниот раст на SiC.

Во споредба со традиционалните керамички материјали и метални материјали, цврстиот графитен филц со висока чистота има подобра топлинска спроводливост и хемиска стабилност и е одличен помошен компонентен материјал за епитаксијален раст на SiC.

Како водечки кинески снабдувач и фабрика за крути филц со висока чистота, VeTek Semiconductor обезбедува високо приспособени производи, без разлика дали се работи за материјали или големина на производот, може да се прилагоди за вас. и производни решенија за полупроводничка индустрија. Искрено очекуваме да станеме ваш долгорочен партнер во Кина.

Витек полупроводник со висока чистота Цврсти продавници за производство: