Примерок за мапирање

Врз основа на физичкиот примерок обезбеден од клиентот (дури и ако е истрошен или скршен користен дел), нудиме услуга со целосен спектар, почнувајќи од обратно инженерство на физичката структура до физичко-хемиска карактеризација на ниво на материјал. Искористувајќи ја опремата за инспекција со висока прецизност од полупроводничка класа, ние прецизно ги квантифицираме сложените 3D геометриски структури, својствата на интерфејсот на облогата/подлогата и физичките параметри на материјалот, осигурувајќи дека обратно дизајнираниот производ ги исполнува или ги надминува стандардите за OEM во физичката кондиција, компатибилноста на процесите и работниот век (Form-Fit-Function Replacement).

Што мериме (технички испораки):

• Димензионални и геометриски толеранции:Користејќи машини за мерење на координати со голема прецизност (CMM) и оптички 3D скенери, вршиме моделирање на точка-облак со целосна големина и реконструкција на сложени структури на шуплина и дупки за монтирање/лоцирање, постигнувајќи точност на ниво на микрони.
• Површинска микро-морфологија и плошност:Употреба на интерферометри со бела светлина и оптички профилометри за да се оцени грубоста на површината во нанометарска скала (Ra) и плошноста на големи површини, задоволувајќи ги барањата за ракување со нафора и запечатување на комората.
• Edge микро-карактеристики:Мапирање со големо зголемување на R-радиусите на рабовите и микро-профилите на заобленоста за да се оптимизира морфологијата на искачувањето на облогата и да се избегне концентрацијата на стрес на острите агли што може да предизвика раслојување на висока температура.
• Графитна подлога и анализа на термичко совпаѓање:Проценка на густината на подлогата од графит со висока чистота, големината на зрната и коефициентот на термичка експанзија (CTE) за да се обезбеди совпаѓање на термичкиот стрес помеѓу подлогата и CVD облогата.
• Квалитет на спојување на пресек и интерфејс на облогата:Недеструктивна XRF и SEM анализа на металографски пресек за мерење на апсолутна дебелина, радијална униформност на CVD облогата и длабочина на пенетрација на интерфејсот.
• Фазна структура и микрокристална анализа:XRD евалуација на чистотата на кубната фаза (β-SiC) на CVD SiC; квалитативна проценка на хемиската стехиометрија и карактеристиките на кристалната структура на CVD TaC.

Придобивки од вистински случај и клиенти (искуство):

Клиент од 12-инчен полупроводнички офорт:Снабдувањето OEM е прекинато; достапен беше само еден истрошен користен дел. Преку CMM обратно моделирање + SEM анализа на пресекот на облогата, го завршивме развојот на заменските делови и тестирањето на алатката во рок од 2 месеци без оригинални цртежи, постигнувајќи 100% вклопување во инсталацијата. На крајот, циклусот на набавка на компоненти беше намален од првобитното време на увоз од 6 месеци на 2 месеци, трошокот за единечна набавка се намали за 42%, а овој модел е стабилно испорачан за повеќе од 30 серии.

Силициум карбид (SiC) облога на пресек на SEM слој

Најчесто поставувани прашања

Започнете ја вашата ексклузивна услуга сега