Gan epitaxy intertaker

GAN Epitaxy е напредна технологија за производство на полупроводници што се користи за производство на електронски и оптоелектронски уреди со високи перформанси. Според различни материјали на подлогата,ГАН епитаксијални нафораможе да се подели на GAN-базирана GAN, SIC-базирана Ган, сафир базирана на Ган иGan-on-si.

       Поедноставена шема на процесот на MOCVD за генерирање на ГАН епитаксијата

Во производството на ГАН епитаксија, подлогата не може едноставно да се постави некаде за епитаксично таложење, затоа што вклучува различни фактори како што се насока на проток на гас, температура, притисок, фиксација и загадувачи на паѓање. Затоа, потребна е база, а потоа подлогата е поставена на дискот, а потоа се изведува епитаксично таложење на подлогата со употреба на CVD технологија. Оваа база е подложен на епитаксијата на ГАН.

Несогласувањето на решетките помеѓу Sic и GAN е мала затоа што термичката спроводливост на Sic е многу поголема од онаа на GAN, Si и Sapphire. Затоа, без оглед на епитаксијалниот нафора на подлогата GAN, сукстакторот на епитаксијата со GAN со SIC облога може значително да ги подобри термичките карактеристики на уредот и да ја намали температурата на спојот на уредот.

Односи со неусогласеност и термичка неусогласеност на материјалите

ГАН епитаксискиот подложен произведен од Vetek Semiconductor ги има следниве карактеристики:

Материјал: Подлогата е изработена од графит со висока чистота и SIC облога, што му овозможува да издржи високи температури и да обезбеди одлична стабилност за време на епитаксичното производство. Посебниот полупроводник на полупроводникот може да постигне чистота од 99.9999% и содржина на нечистотии помалку од 5ppm.

Термичка спроводливост: Добрите термички перформанси овозможуваат прецизна контрола на температурата, а добрата топлинска спроводливост на епитаксијата на ГАН епитаксијата обезбедува униформа таложење на епитаксијата на ГАН.

Хемиска стабилност: SIC облогата спречува загадување и корозија, така што подложниот епитакси на ГАН може да издржи на суровата хемиска околина на системот MOCVD и да обезбеди нормално производство на ГАН епитаксијата.

Дизајн: Структурниот дизајн се врши според потребите на клиентите, како што се суксетори во форма на барел или палачинка. Различни структури се оптимизирани за различни технологии на епитаксијален раст за да се обезбеди подобар принос на нафта и униформност на слојот.

Без оглед на вашата нега, Vetek Semiconductor може да ви обезбеди најдобри производи и решенија. Се радувам на вашата консултација во секое време.

Основни физички својства наCVD SIC облога:

Багажник полупроводникПродавници за суксетори на епитаксијата на Ган: