Епи сусцептор обложен со силикон карбид

Полупроводничка епитаксија се однесува на растот на тенок филм со специфична решеткаста структура на површината на материјалот на подлогата со методи како што се гасна фаза, течна фаза или таложење на молекуларен сноп, така што новорастениот тенок филм слој (епитаксијален слој) има иста или слична структура и ориентација на решетка како подлогата. 

Технологијата на епитаксија е клучна во производството на полупроводници, особено во подготовката на висококвалитетни тенки фолии, како што се еднокристални слоеви, хетероструктури и квантни структури кои се користат за производство на уреди со високи перформанси.

Силикон карбид обложениот Epi чувствител е клучна компонента што се користи за поддршка на подлогата во опремата за епитаксијален раст и е широко користен во силиконската епитаксија. Квалитетот и перформансите на епитаксијалниот постамент директно влијаат на квалитетот на растот на епитаксијалниот слој и играат витална улога во финалната изведба на полупроводничките уреди.

Полупроводникот на Vetek обложи слој на SIC обложување на површината на SGL графит со метод на CVD, и добил SIC обложена епи -подсцертна со својства како што се отпорност на висока температура, отпорност на оксидација, отпорност на корозија и термичка униформност.

Во типичен реактор на барел, силиконскиот карбид обложен Епи подловач има структура на барел. Дното на SIC обложениот епи, подложен е поврзан со ротирачката вратило. За време на процесот на епитаксијален раст, тој одржува наизменична ротација на стрелките на часовникот и спротивно од стрелките на часовникот. Реакцискиот гас влегува во комората на реакција низ млазницата, така што протокот на гас формира прилично униформа дистрибуција во комората на реакција и, конечно, формира униформа раст на епитаксијалниот слој.

Односот помеѓу промената на масата на графитот обложен со SiC и времето на оксидација

Резултатите од објавените студии покажуваат дека на 1400℃ и 1600℃, масата на графитот обложен со SiC се зголемува многу малку. Односно, графитот обложен со SiC има силен антиоксидативен капацитет. Затоа, сензорот Epi обложен со SiC може да работи долго време во повеќето епитаксијални печки. Ако имате повеќе барања или прилагодени потреби, ве молиме контактирајте не. Ние сме посветени на обезбедување на најквалитетни решенија за SIC обложени EPI Suscestor.

Основни физички својства на CVD SiC облогата

Полупроводник VeTekПродавници за чувствителни Epi обложени со силикон карбид