Прстен обложен со карбид Танталум

ВЕТЕК Полупроводник Танталум карбид обложен прстен е направен одграфити обложена со танталум карбид, комбинација што ги користи најдобрите својства на двата материја за да се обезбеди супериорна изведба и долговечност. 

Оставата TAC на прстенот за обложување на карбид Танталум гарантира дека останува хемиски инертен во реактивните атмосфери на печките за раст на кристалот Sic, кои честопати вклучуваат гасови како водород, аргон и азот. Оваа хемиска инертност е од витално значење за да се спречи какво било загадување на растечкиот кристал, што може да доведе до дефекти и намалена изведба на конечните производи за полупроводници. Покрај тоа, термичката стабилност обезбедена од облогата TAC му овозможува на прстенот за обложување на карбид Танталум да работи ефикасно на високите температури потребни за раст на кристалот Sic, обично надминува 2000 ° C.

Густа и униформа TAC облога може да се подготви на графитната површина со прскање во плазма, метод на CVD и метод на товање на кашеста маса, но методот на прскање во плазма има високи побарувања за опрема и формирање на TA2C. Тешко е да се подготви композитна обвивка со метод на кашеста маса, а отпорноста на термичката шок на облогата е слаба. Облогата подготвена со CVD метод има контролиран состав и најголема густина, што е вообичаен метод на обложување на карбид Танталум во моментов.

Механичките својства на TAC во голема мерка го намалуваат абењето и солза на прстенот за обложување на карбид Танталум. Ова е клучно како резултат на повторувачката природа на процесот на раст на кристалот, кој го изложува прстенот на водичот на чести термички циклуси и механички стресови. Цврстината и отпорноста на абење на TAC обезбедуваат дека TAC обложениот прстен го одржува својот структурен интегритет и прецизни димензии во текот на долгите периоди, минимизирајќи ја потребата за чести замени и намалување на времето на застој во процесот на производство. 

Густината на најголемиот дел од облогата на карбид Танталум е 14,3 gm/cm3, емисија 0,3, цврстината е 2000HK, точката на топење е 3950 -ти ℃, а добри физички својства се избрани како заеднички материјал за третата генерација на полупроводници.

Покрај тоа, комбинацијата на графит и TAC во прстенот за обложување на карбид Танталум го оптимизира термичкото управување во печката за раст на кристалот. Високата термичка спроводливост на графит ефикасно ја дистрибуира топлината, спречувајќи жаришта и промовирање на униформа раст на кристалот. Во меѓувреме, TAC облогата служи како термичка бариера, заштитувајќи го графитското јадро од директна изложеност на високи температури и реактивни гасови. Оваа синергија помеѓу јадрото и материјалите за обложување резултира во водич што не само што ги издржува суровите услови наРаст на кристалот SICно исто така ја подобрува целокупната ефикасност и квалитетот на процесот.

Vetek полупроводник Танталум карбид обложен прстен е суштинска компонента во индустријата за полупроводници, специјално дизајниран за раст наСиликонски карбидни кристали. Неговиот дизајн ги искористи јаките на графит и танталум карбид за да обезбеди исклучителни перформанси во околини со висока температура, висок стрес. Оставата TAC обезбедува хемиска инертност, механичка издржливост и термичка стабилност, сите од нив се клучни за производство на висококвалитетни кристали на SIC. Со одржување на својот интегритет и функционалност во екстремни услови, прстенот го поддржува ефикасниот и без дефект раст на кристалите на SIC, придонесувајќи за напредок на уредите со висока моќност и висока фреквенција.

Полупроводник на Ветек е водечки производител и снабдувач наТанталум карбид облога, Силиконски карбид обвивкаиСпецијален графитво Кина. Одамна сме посветени на обезбедување на напредна технологија и решенија за производи за индустријата за полупроводници и искрено се надеваме дека ќе бидеме ваш долгорочен партнер во Кина.

Обвивка од танталум карбид (TAC)на микроскопски пресек：

Преглед наПолупроводнички чип -епитаксиски ланец на индустрија：