8 инчен дел за полумесечина за LPE реактор

Како професионален производител, Vetek Semiconductor би сакал да ви обезбеди висококвалитетен дел од 8 -инчен полувреме за реакторот LPE.

Полупроводник на Vetek Полупроводник од 8 инчи за полувреме за реакторот LPE е суштинска компонента што се користи во процесите на производство на полупроводници, особено во епитаксичната опрема SIC. Vetek Semiconductor користи патентирана технологија за производство на 8 -инчен полувреме на делот за LPE реактор, осигурувајќи дека тие поседуваат исклучителна чистота, униформа облога и извонредна долговечност. Покрај тоа, овие делови покажуваат извонредна хемиска отпорност и својства на термичка стабилност.

Главното тело на 8-инчниот дел за полумесечина за LPE реактор е направен од графит со висока чистота, кој обезбедува одлична топлинска спроводливост и механичка стабилност. Графитот со висока чистота е избран поради неговата ниска содржина на нечистотии, обезбедувајќи минимална контаминација за време на процесот на епитаксијален раст. Неговата робусност му овозможува да ги издржи тешките услови во реакторот LPE.

Vetek полупроводник SIC обложен графит полувремени делови се произведува со најголема прецизност и внимание на деталите. Високата чистота на користените материјали гарантира супериорни перформанси и сигурност во производството на полупроводници. Униформната обвивка на овие делови обезбедува конзистентно и ефикасно работење во текот на нивниот животен век.

Една од клучните предности на нашите делови со обложени графитни делови од графит е нивната одлична хемиска отпорност. Тие можат да ја издржат корозивната природа на околината за производство на полупроводници, обезбедувајќи долготрајна издржливост и да ја минимизираат потребата за чести замени. Покрај тоа, нивната исклучителна термичка стабилност им овозможува да го одржат својот структурен интегритет и функционалност во услови на висока температура.

Нашите делови за половина месечина обложени со графит со SiC се прецизно дизајнирани за да ги задоволат строгите барања на епитаксиалната опрема на SiC. Со своите сигурни перформанси, овие делови придонесуваат за успехот на процесите на епитаксијален раст, овозможувајќи таложење на висококвалитетни SiC филмови.

КРИСТАЛНА СТРУКТУРА НА ФИЛМОТ ЗА СЛОЖУВАЊЕ CVD SIC: