Aixtron G5 MOCVD подложни

Како професионален производител, Vetek Semiconductor би сакал да ви обезбеди Aixtron G5 MOCVD подложни како што се Aixtron Epitaxy,  SIC обложенаделови од графит и TAC обложенаделови од графит. Добредојдовте да нè испитаат.

Aixtron G5 е систем на таложење за сложени полупроводници. AIX G5 MOCVD користи платформа за производство на планетарни реактори докажани со клиент Aixtron со целосно автоматизиран систем за пренесување на нафора на кертриџ (C2C). Ја постигна најголемата големина на единствената празнина во индустријата (8 x 6 инчи) и најголем производствен капацитет. Тој нуди флексибилни 6 - и 4 -инчни конфигурации дизајнирани да ги минимизираат трошоците за производство, додека одржуваат одличен квалитет на производот. Топлиот wallиден планетарна CVD систем се карактеризира со раст на повеќе плочи во една печка, а излезната ефикасност е голема. 

Полупроводник на Vetek нуди комплетен пакет додатоци за системот Aixtron G5 MOCVD Suscestor, што се состои од овие додатоци:

1. Планетарниот модул на реакторот

Функција Ориентација: Како основен модул на реакторот на сериите AIX G5, таа ја усвојува планетарната технологија за да се постигне високо униформно таложење на материјал кај нафора.

Технички карактеристики:

Аксисиметрична униформност: Уникатниот дизајн на планетарна ротација обезбедува ултра-униформа дистрибуција на површините на нафта во однос на дебелината, материјалниот состав и концентрацијата на допинг.

Компатибилност со повеќе страни: Поддржува обработка на серии од 5 200мм (8-инчни) нафори или 8 150мм нафори, значително зголемувајќи ја продуктивноста.

Оптимизација на контролата на температурата: Со прилагодливи џебови на подлогата, температурата на нафтата е прецизно контролирана за да се намали свиткување на нафтата заради термички градиенти.

2. Таванот (систем за таванот за контрола на температурата)

Ориентација на функцијата: како врвна компонента за контрола на температурата на комората за реакција, за да се обезбеди стабилност и енергетска ефикасност на околината за таложење на висока температура.

Технички карактеристики:

Дизајн на низок топлински флукс: технологијата „топол таван“ го намалува топлотниот флукс во вертикалната насока на нафтата, го намалува ризикот од деформација на нафта и го поддржува потенкиот процес на силиконски базиран на силиконски процес (GAN-ON-SI) процес.

Поддршка за чистење на лице место: Интегрираната функција за чистење на лице место го намалува времето на одржување на комората на реакција и ја подобрува континуираната ефикасност на работењето на опремата.

3. Графитски компоненти

Позиционирање на функцијата: Како компонента за запечатување и лежиште со висока температура, за да се обезбеди затегнатост на воздухот и отпорност на корозија на комората за реакција.

Технички карактеристики:

Отпорност на висока температура: Употреба на флексибилен графит материјал со висока чистота, поддршка -200 ℃ до 850 ℃ Екстремно температурно опкружување, погодно за амонијак на MOCVD процесот (NH₃), органски метални извори и други корозивни медиуми.

Само-подмачкување и еластичност: Графитскиот прстен има одлични карактеристики на само-подмачкување, што може да го намали механичкото абење, додека високиот коефициент на еластичност се прилагодува на промената на термичката експанзија, обезбедувајќи долгорочна сигурност на заптивката.

Прилагодено дизајнирање: Поддршка 45 ° Коси инцизија, V-форма или затворена структура за да се исполнат различните барања за запечатување на шуплината.

Четврто, системи за поддршка и можности за проширување

Автоматизирана обработка на нафора: Интегриран управувач со касета до касета за целосно автоматизирано вчитување/истовар на нафора со намалена рачна интервенција.

Компатибилност на процесите: Поддржете го епитаксичниот раст на галиум нитрид (GAN), фосфор арсенид (ASP), микро LED и други материјали, погодни за радиофреквенција (RF), енергетски уреди, технологија за прикажување и други полиња на побарувачка.

Флексибилност на надградба: Постојните системи G5 може да се надградат на верзијата G5+ со хардверски модификации за да се сместат поголеми нафора и напредни процеси.

Кристална структура на филмот CVD SIC:

Основни физички својства на CVD SIC облогата: