CVD TaC обложена сусцептор

Дефиниција и состав на производот

VETEK CVD TaC обложениот сусцептор е компонента за носач на обланда од висока класа, специјално користена за епитаксијална обработка со полупроводници од трета генерација (SiC, GaN, AlN). Овој производ ги комбинира физичките предности на два материјали со високи перформанси:

Графитна подлога со висока чистота: Користи процес на обликување со изостатско притискање за да се осигура дека подлогата поседува супериорна структурна цврстина, висока густина и стабилност на термичката обработка.

CVD TaC облога: Густиот заштитен слој од тантал карбид (TaC) без стрес се одгледува на површината на графитот преку напредна технологија за хемиско таложење на пареа (CVD).

Основни технички предности: Извонредна екстремна приспособливост на околината

Во процесот MOCVD, облогата TaC не е само физички заштитен слој, туку и јадро за да се обезбеди повторливост на процесот:

Толеранција на екстремни високи температури: TaC има точка на топење до 3880°C, одржувајќи одлична стабилност на формата дури и при ултра-високи температурни епитаксијални процеси над 1600°C.

Одлична отпорност на корозија: Во средини со силна редукција што содржат NH3(Амонијак) или H2(Водород), стапката на корозија на TaC е исклучително мала, ефикасно спречувајќи ја загубата на подлогата и врнежите од нечистотија.

Гаранција за ултра-висока чистота: Чистотата на облогата е висока до 99,9995%. Неговата густа структура целосно ги запечатува графитните микропори, осигурувајќи дека епитаксијалниот филм достигнува екстремно ниски нивоа на нечистотии.

Прецизна дистрибуција на топлинско поле: Оптимизираната технологија за контрола на облогата на VETEK обезбедува контрола на температурната разлика на површината на подлогата во рамките на ±2°C, што значително ја подобрува дебелината и конзистентноста на брановата должина на епитаксиалниот слој на обландата.

Технички параметри

Тантал карбид (TaC) облога на микроскопски пресек:

Основни полиња за апликација

Епитаксијален раст на SiC (силициум карбид).: Поддржува производство на уреди за напојување SiC од 6 инчи, 8 инчи и поголема големина.

Уреди базирани на GaN (галиум нитрид).: Се користи во процесите на MOCVD за LED диоди со висока осветленост, уреди за напојување HEMT и чипови за RF.

AlN (алуминиум нитрид) и UVC раст: Обезбедува решенија за носачи со екстремно високи температури (1400°C+) за материјали со ултра широк опсег како што се Deep UV LED диоди.

Прилагодена поддршка за истражување: Се прилагодува на потребите за прецизно прилагодување на истражувачките институти за различни неправилни делови и дискови со повеќе дупки.

Компатибилни модели и услуги за приспособување

VETEK поседува прецизни механички способности за обработка и обложување, совршено прилагодувајќи се на глобалната мејнстрим MOCVD опрема:

AIXTRON: Поддржува различни дискови и бази за ротација на планетата.

Вееко: Поддржува серии K465i, Propel и други вертикални сензори.

AMEC и други: Обезбедува целосно компатибилни резервни делови или решенија за надградба.