CVD TAC обложен прстен со три петални водичи

Материјалот за единечен кристален подлога на силиконски карбид е еден вид кристален материјал, кој припаѓа на широк опсег полупроводнички материјал. Има предности на отпорност на висок напон, отпорност на висока температура, висока фреквенција, ниска загуба, итн. Тој е основен материјал за подготовка на електронски уреди со голема моќност и микробранови на радиофреквенција. Во моментов, главните методи за одгледување на кристали на SIC се физички транспорт на пареа (метод на PVT), таложење на хемиска пареа со висока температура (метод на HTCVD), метод на течна фаза, итн.

Методот за физички транспорт на пареа (ПВТ) е добро воспоставена техника многу погодна за индустриско производство на големи размери. Во овој процес, кристалот SIC семе е поставен на горниот дел од садот, додека SIC во прав, што служи како суровина, се става на дното на садот. Под услови на висока температура и низок притисок во затворено опкружување, SIC во прав се сублимира. Водени од градиентот на температурата и разликата во концентрацијата, сублимираните видови се движат нагоре кон регионот во близина на кристалот на семето. Откако ќе достигнете презаситена состојба, се појавува рекристализација, овозможувајќи прецизна контрола над големината и специфичниот кристален тип на одгледуваните кристали на SIC.

CVD TAC обложени три прстени за водач на ливчиња служи повеќе клучни функции. Првенствено, ја подобрува механиката на флуид со водење на протокот на гас, осигурувајќи дека областа за раст на кристалот е изложена на униформа атмосфера. Покрај тоа, таа ефикасно ја расипува топлината за време на процесот на раст на кристалот SIC. Со одржување на соодветниот градиент на температурата, ги оптимизира условите за раст на кристалите на SIC и го ублажува ризикот од дефекти на кристалот предизвикан од нерамномерна дистрибуција на температурата.