Ган на приемникот ЕПИ

Како професионалецПроизводител на полупроводнициво Кина,Тоа полупроводник Ган на приемникот ЕПИе клучна компонента во процесот на подготовка наГан на сикуреди, а неговите перформанси директно влијаат на квалитетот на епитаксијалниот слој. Со широко распространетата примена на GAN на SIC уредите во електронска електроника, RF уреди и други полиња, барањата заТака приемникот ЕПИќе стане повисок и повисок. Ние се фокусираме на обезбедување на крајна технологија и решенија за производи за индустријата за полупроводници и ја поздравува вашата консултација.

Општо земено, улогите на GAN на Sic Epi Suspssiontor во обработката на полупроводници се следниве:

● Способност за обработка на висока температура: GAN на SIC Epi Suscestor (GAN базиран на силиконски карбид епитаксичен раст на дискот) главно се користи во процесот на епитаксијален раст на галиум нитрид (GAN), особено во околини со висока температура. Овој епитаксичен диск за раст може да издржи екстремно високи температури на обработка, обично помеѓу 1000 ° C и 1500 ° C, што го прави погоден за епитаксијален раст на ГАН материјалите и обработка на подлоги на силиконски карбид (SIC).

● Одлична термичка спроводливост: SIC Epi Suspsector треба да има добра топлинска спроводливост за рамномерно пренесување на топлината генерирана од изворот на греење во подлогата SIC за да обезбеди температурна униформност за време на процесот на раст. Силиконскиот карбид има екстремно висока топлинска спроводливост (околу 120-150 w/mk), а GAN на Sic Epitaxy Suspessor може да спроведе топлина поефикасно од традиционалните материјали како што е силикон. Оваа одлика е клучна во процесот на епитаксичен раст на галиум нитрид затоа што помага во одржувањето на температурната униформност на подлогата, а со тоа да се подобри квалитетот и конзистентноста на филмот.

● Спречете го загадувањето: Материјалите и процесот на третман на површината на GAN на Sic Epi Suscestor мора да бидат во можност да спречат загадување на околината за раст и да избегнат воведување на нечистотии во епитаксијалниот слој.

Како професионален производител наГан на приемникот ЕПИ, Порозен графитиПлоча за обложување TACВо Кина, Vetek Semiconductor секогаш инсистира на обезбедување прилагодени услуги на производи и е посветен на обезбедување на индустријата врвна технологија и решенија за производи. Искрено со нетрпение ја очекуваме вашата консултација и соработка.

Кристална структура за обложување на CVD SIC

Основни физички својства на CVD SIC облогата

Тоа полупроводник Продавници за производство на подложни подложни сици