SiC прашок со висока чистота за раст на SiC кристали

1. Клучни карактеристики

· Високи нивоа на чистота:Способностите за чистота достигнуваат до 99,9999% (одделение 6N).

· Ултра ниски метални нечистотии:Минимизирана контаминација со метали во трагови оптимизирана за раст на SiC кристалите.

· Целосна транспарентност:Целосни податоци за тестирање GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) достапни за секоја серија.

· Стабилни термички перформанси:Високо предвидливо и униформно однесување на сублимација за време на PVT растот.

· Контролирана дистрибуција со големина на честички:Гранулометријата внимателно се следи за да се одржи конзистентна густина на пакувањето.

· Прилагодени формулации:Прилагодени големини на честички и криви на дистрибуција достапни на барање.

· Стандард за квалитет на полупроводници:Строго произведен според системи за управување со квалитет од полупроводници.

2. Визуелни слики на производи

3. Технички спецификации

4. Апликации

· Раст на кристали PVT SiC:Проводни и полуизолациски SiC инготи.

· Полупроводнички подлоги:Подлога за обланда и суровина за обработка на епитаксија.

· Врвни термички компоненти:Напредни керамички компоненти и премази на сензори.

· Апликации за истражување и развој:Истражување за енергетска електроника од следната генерација и уреди со висока фреквенција.

5. Зошто да изберете VeTek Semiconductor?

· Комерцијално прочистување:Напредни техники за прочистување кои обезбедуваат чистота до 6N за раст на еден кристал.

· Строга контрола на квалитет:Посебен гаранција за квалитет со строга контрола на контаминација од полупроводнички степен.

· Флексибилност за приспособување:Флексибилно прилагодување на големината на честичките за да одговара на различни спецификации на садници за PVT печки.

· Стабилен синџир на снабдување:Сигурен капацитет за снабдување кој гарантира стабилна долгорочна испорака на масовно производство.

· Техничка експертиза:Комплетна техничка поддршка прилагодена на вашите специфични процеси на раст на кристалите.