MOCVD технологија

VeTek Semiconductor има предност и искуство во резервни делови MOCVD Technology.

MOCVD, целосното име на Метално-органско хемиско таложење на пареа (метал-органско хемиско таложење на пареа), може да се нарече и метално-органска епитаксија на фазата на пареа. Органометалните соединенија се класа на соединенија со метално-јаглеродни врски. Овие соединенија содржат најмалку една хемиска врска помеѓу метал и јаглероден атом. Метално-органските соединенија често се користат како прекурсори и можат да формираат тенки филмови или наноструктури на подлогата преку различни техники на таложење.

Метално-органско хемиско таложење на пареа (MOCVD технологија) е вообичаена технологија за епитаксијален раст, технологијата MOCVD е широко користена во производството на полупроводнички ласери и LED диоди. Особено кога се произведуваат LED диоди, MOCVD е клучна технологија за производство на галиум нитрид (GaN) и сродни материјали.

Постојат две главни форми на епитаксија: Епитаксија во течна фаза (LPE) и Епитаксија во фаза на пареа (VPE). Епитаксијата на гасната фаза може дополнително да се подели на метално-органско хемиско таложење на пареа (MOCVD) и епитаксија со молекуларен зрак (MBE).

Странските производители на опрема се главно претставени од Aixtron и Veeco. MOCVD системот е една од клучните опрема за производство на ласери, LED диоди, фотоелектрични компоненти, моќност, RF уреди и соларни ќелии.

Главни карактеристики на резервните делови со технологија MOCVD произведени од нашата компанија:

1) Висока густина и целосна инкапсулација: графитната основа како целина е во висока температура и корозивна работна средина, површината мора да биде целосно завиткана, а облогата мора да има добра згуснување за да игра добра заштитна улога.

2) Добра плошност на површината: Бидејќи графитната основа што се користи за раст на еден кристал бара многу висока површинска плошност, првобитната плошност на основата треба да се одржува откако ќе се подготви облогата, односно слојот за обложување мора да биде униформен.

3) Добра цврстина на поврзување: Намалете ја разликата во коефициентот на термичка експанзија помеѓу графитната основа и материјалот за обложување, што може ефикасно да ја подобри цврстината на поврзување помеѓу двете, а облогата не е лесно да се распука откако ќе се доживее топлина со висока и ниска температура циклус.

4) Висока топлинска спроводливост: висококвалитетниот раст на чипот бара од графитната основа да обезбеди брза и униформа топлина, така што материјалот за обложување треба да има висока топлинска спроводливост.

5) Висока точка на топење, отпорност на висока температура на оксидација, отпорност на корозија: облогата треба да може стабилно да работи во висока температура и корозивна работна средина.

Ставете подлога од 4 инчи
Сино-зелена епитаксија за одгледување на LED
Сместено во комората за реакција
Директен контакт со нафора Ставете подлога од 4 инчи
Се користи за одгледување на UV LED епитаксијален филм
Сместено во комората за реакција
Директен контакт со нафора Veeco K868/Veeco K700 машина
Бела ЛЕД епитаксија/Сино-зелена ЛЕД епитаксија Се користи во опремата VEECO
За MOCVD епитаксија
Поддржувач за обложување на SiC Опрема Aixtron TS
Длабока ултравиолетова епитаксија
2-инчен подлога Veeco опрема
Црвено-жолта LED епитаксија
4-инчен нафора подлога TaC обложен суцептор
(SiC Epi/УВ LED приемник) Поддржувач обложен со SiC
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD чувствителни)