Центар за колекционерски облоги SIC

Центарот за колекционерски облоги на Vetek SiC SIC игра важна улога во производството на Semiconducor EPI процес. Тоа е една од клучните компоненти што се користат за дистрибуција и контрола на гас во комора за епитаксична реакција.Sic облогаиTAC облогаво нашата фабрика.

Улогата на Центарот за колекционерски облоги SIC е како што следува:

● Дистрибуција на гас: Центарот за колекционерски облоги SIC се користи за воведување различни гасови во комората за епитаксична реакција. Има повеќе влезови и места што можат да дистрибуираат различни гасови на посакуваните локации за да ги задоволат специфичните потреби за епитаксијален раст.

● Контрола на гас: Центарот за колекционерски облоги SIC постигнува прецизна контрола на секој гас преку вентили и уреди за контрола на проток. Оваа прецизна контрола на гасот е од суштинско значење за успехот на процесот на епитаксијален раст за да се постигне посакуваната концентрација на гас и стапката на проток, обезбедувајќи квалитет и конзистентност на филмот.

● Униформност: Дизајнот и изгледот на централниот прстен за собирање гас помага да се постигне униформа дистрибуција на гас. Преку разумна патека за проток на гас и режим на дистрибуција, гасот е рамномерно измешан во комората на епитаксична реакција, со цел да се постигне униформа раст на филмот.

Во производството на епитаксични производи, Центарот за колекционерски облоги на SIC игра клучна улога во квалитетот, дебелината и униформноста на филмот. Преку соодветна дистрибуција и контрола на гас, Центарот за колекционерски облоги SIC може да обезбеди стабилност и конзистентност наЕпитаксичен процес на раст, за да се добијат висококвалитетни епитаксични филмови.

Во споредба со центарот за колекционерски графит, Celled Collector Center е подобрена топлинска спроводливост, подобрена хемиска инерција и супериорна отпорност на корозија. Силиконскиот карбид обложување значително ја подобрува способноста за термичко управување со графитниот материјал, што доведува до подобра температурна униформност и конзистентен раст на филмот во епитаксијални процеси. Покрај тоа, облогата обезбедува заштитен слој што се спротивставува на хемиска корозија, што го продолжува животниот век на графитните компоненти. Севкупно,Објавени од силициум карбидГрафитниот материјал нуди супериорна термичка спроводливост, хемиска инертност и отпорност на корозија, обезбедувајќи засилена стабилност и висококвалитетен раст на филмот во епитаксичните процеси.

Кристална структура на CVD SIC филм:

Основни физички својства на CVD SIC облогата

Тоа полупроводникЦентар за колекционерски облоги SICПроизводство продавница