Вести

Вести

Драго ни е што можеме да споделиме со вас за резултатите од нашата работа, новостите за компанијата и да ви дадеме навремени случувања и услови за назначување и отстранување на персоналот.
Дизајн на топлинско поле за раст на SiC со единечни кристали06 2024-08

Дизајн на топлинско поле за раст на SiC со единечни кристали

Со зголемената побарувачка за SiC материјали во енергетската електроника, оптоелектрониката и другите области, развојот на технологијата за раст на еден кристал SiC ќе стане клучна област на научни и технолошки иновации. Како јадро на опремата за раст на еден кристал SiC, дизајнот на термалното поле ќе продолжи да добива големо внимание и длабинско истражување.
Историјата на развојот на 3C SiC29 2024-07

Историјата на развојот на 3C SiC

Преку континуиран технолошки напредок и длабинско истражување на механизмите, се очекува хетероепитаксијалната технологија 3C-SiC да игра поважна улога во индустријата за полупроводници и да го промовира развојот на електронски уреди со висока ефикасност.
Рецепт за таложење на атомски слој27 2024-07

Рецепт за таложење на атомски слој

Просторен ALD, просторно изолирано таложење на атомски слој. Нафора се движи помеѓу различни позиции и е изложена на различни претходници на секоја позиција. Сликата подолу е споредба помеѓу традиционалниот ALD и просторно изолиран ALD.
Пробив на технологијата Tantalum Carbide, SIC епитаксијално загадување намалено за 75%?27 2024-07

Пробив на технологијата Tantalum Carbide, SIC епитаксијално загадување намалено за 75%?

Неодамна, германскиот институт за истражување Fraunhofer IISB направи пробив во истражувањето и развојот на технологијата за обложување на карбид Танталум и разви решение за обложување на спреј, кое е пофлексибилно и еколошки од решението за таложење на CVD и е комерцијализирано.
Истражувачка примена на технологијата за 3D печатење во индустријата за полупроводници19 2024-07

Истражувачка примена на технологијата за 3D печатење во индустријата за полупроводници

Во ера на брз технолошки развој, 3Д печатење, како важен претставник на напредната технологија за производство, постепено го менува лицето на традиционалното производство. Со континуираната зрелост на технологијата и намалувањето на трошоците, технологијата за 3Д печатење покажа широки изгледи за апликација во многу полиња, како што се воздушно вселенско, производство на автомобили, медицинска опрема и архитектонски дизајн и ја промовираше иновацијата и развојот на овие индустрии.
Технологија за подготовка на епитаксии со силикон (Si).16 2024-07

Технологија за подготовка на епитаксии со силикон (Si).

Само единечни кристални материјали не можат да ги задоволат потребите на растечкото производство на разни уреди за полупроводници. На крајот на 1959 година, беше развиен тенок слој на единечна технологија за раст на кристалниот материјал - епитаксичен раст.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept