Вести

Оваа статија главно ги воведува типовите на производи, карактеристиките на производот и главните функции на MOCVD подложникот во обработката на полупроводници и прави сеопфатна анализа и толкување на производите на подложни на MOCVD како целина.

Ветексемион сјае на 2025 година Шангај Полу -меѓународна изложба, водејќи ја иднината на полупроводничката индустрија со иновативни технологии

Во индустријата за производство на полупроводници, бидејќи големината на уредот продолжува да се намалува, технологијата на таложење на тенок филмски материјали претставува невидени предизвици. Депонирањето на атомскиот слој (ALD), како технологија за таложење на тенок филм што може да постигне прецизна контрола на атомско ниво, стана неопходен дел од производството на полупроводници. Овој напис има за цел да го воведе протокот на процесот и принципите на ALD за да помогне во разбирањето на нејзината важна улога во напредното производство на чипови.

Идеално е да се изградат интегрирани кола или полупроводнички уреди на совршен кристален основен слој. Процесот на епитаксија (епи) во производството на полупроводници има за цел да депонира фин еднокристален слој, обично околу 0,5 до 20 микрони, на еднокристална подлога. Процесот на епитаксија е важен чекор во производството на полупроводнички уреди, особено во производството на силиконски нафора.