SIC обложена поддршка за LPE PE2061S

Поддршка на Vetek Semiconductor SIC за LPE PE2061S во силиконска епитаксиска опрема, што се користи во комбинација со суспекторот од типот на барел за поддршка и одржување на епитаксичните нафора (или подлоги) за време на процесот на епитаксијален раст.

Долната плоча главно се користи со епитаксијална печка на барел, епитаксијалната печка на барел има поголема комора за реакција и поголема ефикасност на производство од рамен епитаксичен подлотор. Поддршката има дизајн на тркалезна дупка и првенствено се користи за излез на издувни гасови во реакторот.

LPE PE2061S е силиконска карбид (SIC) обложена графитна база за поддршка дизајнирана за производство на полупроводници и напредна обработка на материјали, погодни за висока температура, околини со висока прецизна процеси (како што се технологија за соголување на течна фаза LPE, метално-органски хемиски пареа таложење MOCVD, итн.). Неговиот основен дизајн ги комбинира двојните придобивки од графитната подлога со висока чистота со густа SIC облога за да се обезбеди стабилност, отпорност на корозија и термичка униформност во екстремни услови.

Основна карактеристика

● Отпорност на висока температура:

Оставата SIC може да издржи високи температури над 1200 ° C, а коефициентот на термичка експанзија е многу совпаѓан со графитната подлога за да се избегне пукање на стрес предизвикано од температурни флуктуации.

●  Одлична термичка униформност:

Густата SIC облога, формирана од технологијата за таложење на хемиска пареа (CVD), обезбедува униформа дистрибуција на топлина на површината на основата и ја подобрува униформноста и чистотата на епитаксилниот филм.

●  Оксидација и отпорност на корозија:

Облогата SIC целосно ја покрива графитната подлога, блокирајќи кислород и корозивни гасови (како што се NH₃, H₂, итн.), Значително го проширува животот на основата.

●  Висока механичка јачина:

Облогата има голема јачина на сврзување со графитната матрица и може да издржи повеќе циклуси на висока температура и ниска температура, намалувајќи го ризикот од оштетување предизвикано од термички шок.

●  Ултра-висока чистота:

Исполнете ги строгите барања за содржина на нечистотии на процесите на полупроводници (содржина на метална нечистотија ≤1ppm) за да избегнете загадување на нафорите или епитаксијалните материјали.

Технички процес

●  Подготовка на облога: Со хемиско таложење на пареата (CVD) или метод на вградување на висока температура, се формира униформа и густа β-SIC (3C-SIC) облога на површината на графит со висока јачина на сврзување и хемиска стабилност.

●  Прецизна машинска обработка: Основата е ситно изработена од CNC машински алати, а грубоста на површината е помала од 0,4 μm, што е погодно за барањата за лежиште со висока прецизност.

Поле за апликација

●  Опрема MOCVD: За ГАН, СИК и други сложени полупроводнички епитаксичен раст, поддршка и униформа подлога за греење.

●  Силикон/Сик епитакси: Обезбедува високо квалитетно таложење на епитаксични слоеви во производство на силициум или сик -полупроводник.

●  Процес на соблекување на течна фаза (LPE): Адаптира ултразвучна технологија за соблекување на помошни материјали за да се обезбеди стабилна платформа за поддршка за дводимензионални материјали како што се графен и метални халкогениди на транзиција.

Конкурентна предност

●  Меѓународен стандарден квалитет: Перформанси за изведба на Toyotanso, SGLCarbon и други меѓународни водечки производители, погодни за мејнстрим полупроводнички опрема.

●  Прилагодена услуга: Поддршка на обликот на дискот, обликот на барел и друга прилагодување на обликот на основата, за да се задоволат потребите за дизајнирање на различни шуплини.

●  Предност за локализација: Скратете го циклусот на снабдување, обезбедете брз технички одговор, намалете ги ризиците од синџирот на снабдување.

Обезбедување на квалитет

●  Ригорозно тестирање: Густината, дебелината (типична вредност 100 ± 20 μm) и чистотата на составот на облогата беа потврдени со SEM, XRD и други аналитички средства.

●  Тест за сигурност: Симулирајте ја вистинската околина на процесите за циклус на висока температура (1000 ° C → собна температура, ≥100 пати) и тест за отпорност на корозија за да се обезбеди долгорочна стабилност.

●  Применливи индустрии: Производство на полупроводници, LED епитакси, производство на уреди RF, итн.

SEM податоци и структура на CVD SIC филмови ：