Прстен на карбид на танталум

Прстенот на танталум карбид (TAC) на Vetek Semiconductor користи висококвалитетен графит како основен материјал и, благодарение на неговата уникатна структура, е во состојба да ги одржува својата форма и механички својства под екстремни услови на печка за раст на кристалот. Високата отпорност на топлина на графит му дава одлична стабилност во текот на целатапроцес на раст на кристалот.

Надворешниот слој на TAC прстенот е покриен со аТанталум карбид облога, материјал познат по својата екстремно висока цврстина, точка на топење од над 3880 ° C и одличен отпор на хемиска корозија, што го прави особено погоден за работни околини со висока температура. Оставата за карбид Tantalum обезбедува силна бариера за ефикасно спречување на насилни хемиски реакции и обезбедување дека графитското јадро не е кородиран од гасови со печка со висока температура.

За времераст на кристалот со силикон карбид (SIC), стабилните и униформните услови на раст се клучни за да се обезбедат висококвалитетни кристали. Прстенот за обложување на карбид Tantalum игра клучна улога во регулирањето на протокот на гас и оптимизирање на дистрибуцијата на температурата во печката. Како прстен за водач на гас, TAC прстенот обезбедува униформа дистрибуција на топлинска енергија и реакциски гасови, обезбедувајќи униформа раст и стабилност на кристалите на SIC.

Покрај тоа, високата термичка спроводливост на графит во комбинација со заштитниот ефект на обложениот карбид Танталум му овозможува на прстенот на водичот TAC да работи стабилно во високо-температурата на околината потребна за раст на кристалот SIC. Неговата структурна јачина и димензионалната стабилност се клучни за одржувањето на условите во печката, што директно влијае на квалитетот на произведените кристали. Со намалување на термичките флуктуации и хемиски реакции во рамките на печката, TAC прстенот за обложување помага во генерирање на кристали со одлични електронски својства за апликации со полупроводници со високи перформанси.

Прстенот на танталум карбид на VETEK Semiconductor е клучна компонента напечки за раст на силикон карбид кристали се издвојува за неговата одлична издржливост, термичка стабилност и хемиска отпорност. Неговата уникатна комбинација на графитно јадро и TAC облога му овозможува да го одржува структурниот интегритет и функционалност под груби услови. Со прецизно контролирање на протокот на температура и гас во печката, прстенот за обложување TAC ги обезбедува потребните услови за производство на висококвалитетни кристали на SIC, кои се клучни за врвно производство на полупроводнички компоненти.

Облога на танталум карбид (TAC) на микроскопски пресек：