Веб мени

Пребарување производ

Јазик

Техника и решенија

Водич за избор

Технологија и трендовиРешенијаВодич за изборСтудии на случај
01 Граници на изведба на CVD SiC, TaC и цврсти SiC во процесите на епитаксија и офорт
05

01 Граници на изведба на CVD SiC, TaC и цврсти SiC во процесите на епитаксија и офорт

Изборот на вистинската CVD SiC, TaC облога или Solid SiC директно ги одредува нивоата на честички и животниот век на компонентите на линиите за епитаксија/офорт. Оваа статија обезбедува јасни граници за избор според температурата, атмосферата и процесот, усогласени со главните решенија за замена на опремата и клучните метрики, за да ви помогнат да донесувате брзи одлуки и да го намалите ризикот.
Гледај Повеќе
Вести Препораки
Која е разликата помеѓу CVD TAC и SINTERED TAC?
Која е разликата помеѓу CVD TAC и SINTERED TAC?Гледај Повеќе >>
Врз основа на 8-инчен силиконски карбид со единечна технологија за печки за раст на кристалот
Врз основа на 8-инчен силиконски карбид со единечна технологија за печки за раст на кристалотГледај Повеќе >>
Како се чувствува облогата на SIC да ја подобри отпорноста на оксидацијата на јаглеродот
Како се чувствува облогата на SIC да ја подобри отпорноста на оксидацијата на јаглеродотГледај Повеќе >>
Кои се разликите помеѓу изотропниот графит и силиконизиран графит?
Кои се разликите помеѓу изотропниот графит и силиконизиран графит?Гледај Повеќе >>
Зошто SiC обложениот графит сусцептор се неопходни за полупроводничка епитаксија
Зошто SiC обложениот графит сусцептор се неопходни за полупроводничка епитаксијаГледај Повеќе >>
Како да изберете mocvd графит фиока?
Како да изберете mocvd графит фиока?Гледај Повеќе >>
X
Ние користиме колачиња за да ви понудиме подобро искуство во прелистувањето, да го анализираме сообраќајот на страницата и да ја персонализираме содржината. Со користење на оваа страница, вие се согласувате со нашата употреба на колачиња. Политика за приватност
ОтфрлиПрифати