Приемник за графитни дискови

Посебниот дисксетор на графитниот диск на Vetek Semiconductor, производ со високи перформанси за напредни процеси на производство на полупроводници. Нашиот графит дисксетор на диск е дизајниран да ги исполни бараните барања на индустријата и да обезбеди исклучителни перформанси и сигурност. Овој подлога за графитни дискови е OEM за платформата на планетарниот реактор AIX G5.

GaN-on-Si MOCVD се користи за LED епитаксијално производство, а реакторот Aixtron G5 го подобрува приносот и униформноста на платформата MOCVD. Целосно ротирана симетрична униформа шема на пет наполитанки од 200 mm, со стандардна дебелина на силиконската подлога и контролирање на однесувањето на свиткување на нафора го формализираше она што им е потребно за производство на силикон.

Подложен графит на Vetek Semiconductor Graphite Disc за Gan-on-Si MOCVD, сигурно и економично решение за напредни процеси на производство на полупроводници.

Нашиот подложен графит дисксетор со висока чистота е специјално дизајниран да ги исполни барањата на процесите GAN-ON-SI MOCVD. Со својата исклучителна термичка стабилност и отпорност на топлина, може да ги издржи бараните температурни услови што обично се движат од 800 ° C до 1100 ° C, обезбедувајќи оптимални перформанси за време на процесот на таложење.

Графитниот материјал со висока чистота што се користи во нашиот сензор за диск обезбедува одлична хемиска отпорност, што го прави компатибилен со амонијакот (NH3) и прекурсорите на органски метал кои вообичаено се користат во GaN-on-Si MOCVD. Ова ја елиминира потребата за дополнителниSic облоги, намалување на трошоците за производство без да се загрозат перформансите.

Подложникот со висока чистота на VETEK Semiconductor нуди економично решение без да се загрози квалитетот. Неговата сигурност, издржливост и компатибилност со процесите GAN-ON-SI MOCVD го прават најпосакуваниот избор за производителите на полупроводници. Доверба на Vetek Полупроводник за испорака на графитски дисктори со високи перформанси за вашите потреби за производство на Gan-On-Si MOCVD.