Crucible за монокристален силикон

Во методот CZ (Czochralski), се одгледува еден кристал со внесување монокристално семе во контакт со стопена поликристална силикон. Семето постепено се влече нагоре додека се врти полека. Во овој процес, се користат значителен број графитни делови, што го прави методот што користи најголема количина на графитни компоненти во производството на полупроводници на силикон.

Правилната слика дава шематска претстава на силиконска единечна кристална производствена печка заснована на методот CZ.

Crucible на Vetek Semiconductor за монокристален силикон обезбедува стабилна и контролирана околина клучна за прецизно формирање на полупроводнички кристали. Тие се инструментални во одгледувањето монокристални силиконски инготи со употреба на напредни техники, како што се процесот Czochralski и методите на плови-зона, кои се од витално значење за производство на висококвалитетни материјали за електронски уреди.

Инженерски за извонредна термичка стабилност, отпорност на хемиска корозија и минимална термичка експанзија, овие распрскувачи обезбедуваат издржливост и стабилност. Тие се дизајнирани да издржат груби хемиски околини без да го загрозат структурниот интегритет или перформансите, со што ќе го прошират животниот век на Кручил и да одржуваат постојани перформанси во текот на продолжената употреба.

Уникатниот состав на крцкавите полупроводници на Ветек за монокристален силикон им овозможува да ги издржат екстремните услови на обработка на висока температура. Ова гарантира исклучителна термичка стабилност и чистота, кои се клучни за обработка на полупроводници. Составот исто така го олеснува ефикасното пренесување на топлината, промовирајќи униформа кристализација и минимизирање на термичките градиенти во рамките на силиконскиот топење.

✔ Заштита на основен материјал: НаCVD SIC облогаДелува како заштитен слој за време на епитаксијалниот процес, ефикасно заштитувајќи го основниот материјал од ерозија и оштетување предизвикано од надворешното опкружување. Оваа заштитна мерка во голема мерка го проширува животот на услугата на опремата.

✔ Одлична термичка спроводливост: Нашата CVD SIC облога поседува извонредна термичка спроводливост, ефикасно пренесувајќи ја топлината од основниот материјал на површината на облогата. Ова ја подобрува ефикасноста на термичката управување за време на епитаксијата, обезбедувајќи оптимални работни температури за опремата.

✔ Подобрен квалитет на филмот: CVD SIC облогата обезбедува рамна и униформа површина, создавајќи идеална основа за раст на филмот. Ги намалува дефектите што произлегуваат од неусогласеност на решетките, ја подобрува кристалноста и квалитетот на епитаксијалниот филм и на крајот ги подобрува неговите перформанси и сигурност.