Силициум карбид (SiC) во прав со висока чистота

Клучни карактеристики
• Чистотата може да достигне до 99,9999% - тоа е 6N

• Металните нечистотии се одржуваат на ниско ниво

• Податоците од тестот GDMS се достапни на барање

• Однесувањето на сублимацијата останува конзистентно од серија до серија

• Помал ризик од контаминација за време на обработката

• Дистрибуцијата на големината на честичките е контролирана

• Може да побарате и приспособени големини на честички

• Контролата на квалитетот ги следи стандардите за полупроводничка класа

Опсег на големина на честички:

Чистота на прав: 

Технички спецификации:

Апликации

• SiC единечен кристален раст (PVT)

• Проводни и полуизолациски подлоги на SiC

• Полупроводнички материјали

• Напредна керамика

• Истражување и развој

Зошто да изберете VeTek Semiconductor?

• Напредна технологија за прочистување

• Контрола на квалитет од полупроводници

• Прилагодени опции за големина на честички

• Стабилно и сигурно снабдување

• Техничка поддршка за апликации за раст на кристали