Вести

Овој блог зема „Колку порозен графит го подобрува растот на кристалот на силикон карбид?“ Како своја тема и детално дискутира за порозни превземања на графит, улогата на силиконски карбид во полупроводничка технологија, уникатни својства на порозен графит, како порозниот графит го оптимизира процесот на ПВТ, иновациите во порозни графитни материјали и други агли.

Овој блог ги разгледува специфичните апликации на вештачката интелигенција во областа на CVD од два аспекта: значењето и предизвиците на технологијата за таложење на хемиска пареа (CVD) во физиката и CVD технологијата и машинското учење.

Овој блог зема „Што е сик-обложениот графит суксетор?“ како своја тема, и ја дискутира од перспективите на епитаксијалниот слој и нејзината опрема, важноста на SIC обложен графит подлотор во CVD опрема, технологија за обложување на SIC, конкуренција на пазарот и технолошка иновација на Vetek Semiconductor.

Што е порозен графит со висока чистота? - Ветек, овој блог главно го воведува специфичниот принцип на работа на порозен графит со висока чистота за раст на единечен кристал SIC со метод на PVT.

Кварцниот материјал е еден од основните материјали за високо-технолошки индустрии, како што се полупроводници и фотоволтаици. Овој блог ги воведува првите три добавувачи на кварцни материјали во светот, Сибелко, TQC и Моментни и нивните производи.

Овој блог има „Што е раст на кристалот на силиконски карбид?“ Како своја тема и дава детална анализа од четири димензии: принципот на раст на кристалот на силиконски карбид, кристалната структура на SIC, методот на физички пареа за транспорт (PVT) и растот на протокот на чекор за да расте единечен кристал.

Овој блог зема „Кој е епитаксичниот процес?“ како нејзина тема и дава детална анализа од димензиите на преглед на епитаксичните процеси, видовите епитакси, факторите кои влијаат на процесот на ЕПИ, техниките на епитаксијален раст, режимите на раст на ЕПИ и важноста на растот на епитаксијата.

Со темата „Како да се постигне висококвалитетен раст на кристалот?

Четирите најмоќни производители на графит во светот: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen и нивните соодветни типични области на графит и примена.

Написот ги опишува одличните физички својства на јаглеродот, специфичните причини за избор на обложување на SIC и методот и принципот на SIC обложување на јаглерод. Исто така, конкретно ја анализира употребата на дифрактометарот на Х-зраци на Д8 нанапред (XRD) за да се анализира фазниот состав на SIC облогата на јаглерод.

Главните методи за одгледување SIC единечни кристали се: физички транспорт на пареа (PVT), таложење на хемиска пареа со висока температура (HTCVD) и раст на растворот на висока температура (HTSG).

Со развојот на сончевата фотоволтаична индустрија, дифузни печки и печки LPCVD се главната опрема за производство на соларни ќелии, кои директно влијаат на ефикасните перформанси на соларни ќелии. Врз основа на сеопфатните трошоци за перформанси и употреба на производот, керамичките материјали на силикон карбид имаат повеќе предности во областа на соларни ќелии отколку кварцните материјали. Примената на силиконски карбидни керамички материјали во фотоволтаичната индустрија може во голема мерка да им помогне на фотоволтаичните претпријатија да ги намалат трошоците за инвестирање на помошни материјали, да го подобрат квалитетот на производот и конкурентноста. Идниот тренд на силиконски карбид керамички материјали во фотоволтаичното поле е главно кон поголема чистота, посилен капацитет за носење на оптоварување, поголем капацитет за оптоварување и пониска цена.

Написот ги анализира специфичните предизвици со кои се соочува процесот на обложување на CVD TAC за раст на единечен кристал SIC за време на обработката на полупроводници, како што се извор на материјал и контрола на чистотата, оптимизација на параметарот на процесите, адхезија на облогата, одржување на опрема и стабилност на процесите, заштита на животната средина и контрола на трошоците, како што е, како што е контролата на трошоците, како што е, како што е, како контрола на трошоците, како што е, како што е контролата на трошоците, како што е, како што е контролата на трошоците, како што е како и соодветните решенија во индустријата.

Од перспектива на примена на раст на единечен кристал SIC, овој напис ги споредува основните физички параметри на облогата на TAC и облогата на SIC и ги објаснува основните предности на облогата на TAC во однос на облогата на SIC во однос на отпорност на висока температура, силна хемиска стабилност, намалени нечистотии и пониски трошоци.

Постојат многу видови опрема за мерење во фабриката FAB. Заедничка опрема вклучува опрема за мерење на процесот на литографија, опрема за мерење на процесот на гравирање, опрема за мерење на процесот на таложење на тенок филм, опрема за мерење на процесот на допинг, опрема за мерење на процесот на CMP, опрема за откривање честички на нафта и друга опрема за мерење.

Облогата на танталум карбид (TAC) може значително да го продолжи животот на графитните делови со подобрување на отпорност на висока температура, отпорност на корозија, механички својства и можности за управување со термичко управување. Неговите високи карактеристики на чистота ја намалуваат загадувањето на нечистотиите, го подобруваат квалитетот на растот на кристалот и ја зголемуваат енергетската ефикасност. Тој е погоден за производство на полупроводници и апликации за раст на кристалот во висока температура, високо корозивни средини.