Sic обложен планетарски подлотор

SIC обложен планетарниот подлотор е планетарна носач обложена соСиликон карбид (sic), што главно се користи во процесите на таложење на полупроводнички материјали, како што се таложење на метално-органска хемиска пареа (MOCVD), епитакси на молекуларен зрак (MBE), итн. Неговата главна функција е да носи и ротира нафора за да се обезбеди материјална униформност и термичка конзистентност на полето за време на процесот на таложење. Неговата главна функција е да носи и ротира нафора за да се обезбеди материјална униформност и конзистентност на термичко поле за време на таложење, а SIC облогата му обезбедува на носачот одлична отпорност на висока температура, отпорност на корозија и термичка спроводливост за полупроводник со голема прецизностнафтаобработка.

Сценари за основни апликации за SIC обложени планетарни суксетори

Процес на епитаксичен раст на MOCVD

Во процесот на MOCVD, SIC обложениот планетарн подлотор главно се користи за носење нафори од силикон (Si), силикон карбид (Sic), Galium nitride (GAN), Gallium arsenide (GaaS) и други материјали.

● Функционални барања: Прецизно позиционирање и синхронизирана ротација на нафора за да се обезбеди униформа дистрибуција на материјали од депониран пареа на површината на нафтата и да се подобри униформноста на дебелината и составот на филмот.

● Предност: SIC обложувањата се многу отпорни на корозија и можат да издржат ерозија на високо реактивни метални-органски прекурсори како што се триметилгалиум (TMGA) и триметилиндиум (TMIN), што го продолжува нивниот животен век.

Производство на електричен уред со силикон карбид (SIC)

SIC обложен планетарниот подлотор е широко користен во епитаксијалниот раст на Sic Power уредите, како што се MOSFET, IGBT, SBD и други уреди.

● Функционални барања: Обезбедете стабилна платформа за термичко изедначување во околини со висока температура за да се обезбеди квалитет на кристализација на епитаксичен слој и контрола на дефекти.

● Предност: SIC обложувањата се отпорни на висока температура (> 1600 ° C) и имаат коефициент на термичка експанзија (4,0 × 10^-6 K^-1) близу до онаа на силиконските карбидни нафори, што ефикасно ги намалува термичките стресови и го подобрува квалитетот и стабилноста на епитаксијалниот слој.

Длабоко ултравиолетово (ДУВ) и ултравиолетово LED епитаксично производство

SIC обложен планетарниот подлотор е погоден за епитаксијален раст на материјали како што се галиум нитрид (GAN) и алуминиум галиум нитрид (Алган), и е широко користен во производството на УВ-LED и микро LED диоди.

● Функционални барања: Одржувајте прецизна контрола на температурата и униформа дистрибуција на проток на воздух за да се обезбеди точност на бранова должина и перформанси на уредот.

● Предност: Високата термичка спроводливост и отпорност на оксидација овозможуваат одлична стабилност на високи температури во текот на долгите периоди на работа, помагајќи да се подобри светлечката ефикасност и конзистентноста на LED чиповите.

Изберете векемион

Ветексемион SIC обложен планетарниот подлотор покажа незаменливи предности во околината за производство на висока температура, корозивни полупроводници преку неговите уникатни материјални својства и механички дизајн. И нашите главни производи на планетарни подложни се обложени со планетарни подложни,АЛД Планетарниот подлотор, TAC облога на планетарниот подложникИ така натаму. Во исто време, Ветексемион е посветена на обезбедување прилагодени производи и технички услуги на индустријата за полупроводници. Искрено со нетрпение очекуваме да бидеме ваш долгорочен партнер во Кина.