Држач за нафта со обложена нафта

VSIC на нафора на ETEK SIC, обложениот нафора, обично се користи за фиксирање и поддршка на нафорите за време на обработката на полупроводници. Тоа е висока перформансиносач на нафташироко користено во производството на полупроводници. Со обложување на слој на силикон карбид (sic) на површината наподлога, производот може ефикасно да го спречи подлогата од корозија и да ја подобри отпорноста на корозијата и механичката јачина на носачот на нафта, обезбедувајќи ја стабилноста и прецизните барања на процесот на обработка.

Држач за нафта со обложена нафтаобично се користи за фиксирање и поддршка на нафорите за време на обработката на полупроводници. Тоа е носач на нафта со високи перформанси, широко користен во производството на полупроводници. Со обложување на слој наСиликон карбид (sic)На површината на подлогата, производот може ефикасно да го спречи подлогата од корозија и да ја подобри отпорноста на корозијата и механичката јачина наносач на нафта, обезбедувајќи стабилност и прецизни барања на процесот на обработка.

Силикон карбид (Sic) има точка на топење од околу 2,730 ° C и има одлична термичка спроводливост од околу 120 - 180 w/m · k. Овој имот може брзо да ја расипе топлината во процесите на висока температура и да спречи прегревање помеѓу нафтата и превозникот. Затоа, држачот за нафта со обложена нафта обично користи силиконски карбид (Sic) обложен графит како подлога.

Во комбинација со екстремно високата цврстина на SIC (тврдоста на Викерс од околу 2.500 HV), силиконскиот карбид (Sic) облога депонирана од процесот на CVD може да формира густа и силна заштитна обвивка, што во голема мерка ја подобрува отпорноста на абење на држачот за обложена нафта.

SIC на нафора на VETEK SIC SIC е изработен од графит обложена со SIC и е неопходна компонента на клучот во современите процеси на епитаксијата на полупроводници. Умно ја комбинира одличната термичка спроводливост на графитот (термичката спроводливост е околу 100-400 W/m · k на собна температура) и механичка јачина, а одличната хемиска отпорност на корозија и термичката стабилност на силиконските карбид (точката на топење на SIC е околу 2,730 ° C), совршено исполнувајќи ги строгите барања на денешното работење на денешно време.

Овој држач за дизајн со еден вар може точно да го контролираЕпитаксичен процесПараметри, кои помагаат да се произведат висококвалитетни уреди за полупроводници со високи перформанси. Неговиот уникатен структурен дизајн гарантира дека нафтата е управувана со најголема грижа и прецизност во текот на целиот процес, со што се обезбедува одличен квалитет на епитаксијалниот слој и подобрување на перформансите на конечниот производ за полупроводници.

Како водечки КинаSIC обложенаПроизводител на сопственици на нафора и лидер, Vetek Semiconductor може да обезбеди кориснички производи и технички услуги според вашата опрема и барања за процеси.Искрено се надеваме дека ќе бидеме ваш долгорочен партнер во Кина.

SEM податоци за CVD SIC филмска структура на кристал

Основни физички својства на CVD SIC облогата

Продукции за нафора на нафта со Vetek SiC Productions.