Изборот на вистинската CVD SiC, TaC облога или Solid SiC директно ги одредува нивоата на честички и животниот век на компонентите на линиите за епитаксија/офорт. Оваа статија обезбедува јасни граници за избор според температурата, атмосферата и процесот, усогласени со главните решенија за замена на опремата и клучните метрики, за да ви помогнат да донесувате брзи одлуки и да го намалите ризикот.
Откријте како ласерската технологија на VeTek со водена вода испорачува униформни дупчиња Φ0,15mm во подлоги од 2mm SiC без заостреност, минимален HAZ и висок принос за полупроводнички апликации.
Најпредизвикувачкиот технички проблем за шупливите иглички на полупроводничка опрема не е облогата на надворешната површина, туку постигнувањето стабилна и униформа CVD облога на внатрешниот ѕид на шупливата структура. Од контрола на униформноста на облогата на внатрешниот ѕид до гаранцијата за чистота на внатрешниот отвор, секој чекор од процесот директно влијае на приносот на нафора. Оваа статија ги анализира основните предизвици на облогата на внатрешниот ѕид со шупливи иглички за подигнување и клучните технички патишта.
Ние користиме колачиња за да ви понудиме подобро искуство во прелистувањето, да го анализираме сообраќајот на страницата и да ја персонализираме содржината. Со користење на оваа страница, вие се согласувате со нашата употреба на колачиња. Политика за приватност