CVD Sic Pancake Suspsestor

Тоа полупроводник CVD Sic Pancake Suspsestor е произведен со употреба на најновата технологија за таложење на хемиски пареа (CVD) за да се обезбеди одлична издржливост и екстремна прилагодливост на температурата. Следниве се нејзините главни физички својства:

● Термичка стабилност: Високата термичка стабилност на CVD Sic обезбедува стабилни перформанси во услови на висока температура.

● Низок коефициент на термичка експанзија: Материјалот има исклучително низок коефициент на термичка експанзија, што го минимизира искривувањето и деформацијата предизвикана од температурните промени.

● Отпорност на хемиска корозија: Одлична хемиска отпорност му овозможува да одржува високи перформанси во најразлични груби околини.

Прецизна поддршка и оптимизиран пренос на топлина

SIC со базирана на SIC со базирана на палачинка на Veteksemi е дизајниран да смести нафта за полупроводници и да обезбеди одлична поддршка за време на епитаксијално таложење. СИЦ -палачинката подложни на SIC е дизајниран со употреба на напредна компјутерска технологија за симулација за да се минимизира искривувањето и деформацијата во различни услови на температура и притисок. Неговиот типичен коефициент на термичка експанзија е околу 4,0 × 10^-6/° C, што значи дека неговата димензионална стабилност е значително подобра од традиционалните материјали во средини со висока температура, со што се обезбедува конзистентност на дебелината на нафтата (обично 200 mm до 300 mm).

Покрај тоа, суксеторот на палачинка на CVD се истакнува во преносот на топлина, со топлинска спроводливост до 120 W/m · k. Оваа висока термичка спроводливост може брзо и ефикасно да спроведе топлина, да ја подобри температурната униформност во рамките на печката, да обезбеди униформа дистрибуција на топлина за време на епитаксијалното таложење и да ги намали дефектите на таложење предизвикани од нерамна топлина. Оптимизираните перформанси на преносот на топлина се клучни за подобрување на квалитетот на таложењето, што може ефикасно да ги намали флуктуациите на процесите и да го подобри приносот.

Преку овие оптимизации за дизајн и перформанси, CVD SIC SIC SIC SIC SIC SIC SIC SIC обезбедува цврста основа за производство на полупроводници, обезбедувајќи сигурност и конзистентност под сурови услови за обработка и исполнување на строгите барања на современата индустрија за полупроводници за висока прецизност и квалитет.

Кристална структура на филмот CVD SIC

Основни физички својства на CVD SIC облогата

Основни физички својства на CVD SIC облогата
Својство	Типична вредност
Кристална структура	FCC β фаза поликристален, главно (111) ориентиран
Густина	3.21 g/cm³
Цврстина	2500 Викерс цврстина （500g оптоварување）
Големина на жито	2 ~ 10мм
Хемиска чистота	99.99995%
Топлински капацитет	640 J · kg-1· К.-1
Температура на сублимација	2700
Флексурална сила	415 MPa RT 4-точка
Модул на Јанг	430 GPa 4pt Bend, 1300 ℃
Термичка спроводливост	300W · m-1· К.-1
Термичка експанзија (CTE)	4,5 × 10-6K-1