Прстен за запечатување обложен за епитаксија

Ⅰ. Што е SIC обложен прстен за заптивка?

SIC обложен прстен за заптивка (силиконски карбид обложен прстен за заптивка) е прецизна компонента за запечатување дизајнирана за околини со висока температура, високо корозивни полупроводнички процеси. Неговото јадро е преку процесот на таложење на хемиска пареа (CVD) или физичко таложење на пареата (PVD), графит или јаглерод композитен материјал на подлогата на подлогата рамномерно покриена со слој на силиконски карбид (SIC), формирање на механичка јачина на подлогата и облогата на својства за запечатување на високи перформанси.  

Ⅱ. Состав на производи и основна технологија  

1. Материјал на подлогата:

Композитен материјал со графит или јаглерод-јаглерод: Основниот материјал има предност на висока отпорност на топлина (може да издржи повеќе од 2000 ℃) и низок коефициент на термичка експанзија, со што се обезбедува димензионална стабилност во екстремни услови како што е висока температура.  

Прецизна структура на машинска обработка: Дизајнот на прецизниот прстен може да биде совршено прилагоден на шуплината на полупроводничка опрема, со што се обезбедува рамност на површината за запечатување и добра херметичност.  

2 Функционална облога:  

Обвивка со висока чистота SIC (чистота ≥99,99%): Дебелината на коалинг е обично 10-50μm, преку процесот на CVD за да се формира слој на густа не-порозна структура на површината, давајќи му на прстенот за запечатување одлична хемиска инертност и механички својства.

Ⅲ. Основни физички својства и предности

Прстените за запечатување на Vetekesmon на SIC се идеални за процеси на епитакси на полупроводници заради нивните одлични перформанси во екстремни услови. Подолу се прикажани специфичните физички својства на производот:

Iv. Основни апликации во обработката на епитаксијата на полупроводници  

SIC обложен запечатување прстен главно се користи во MOCVD (метално таложење на органска хемиска пареа) и MBE (епитакси на молекуларен зрак) и друга опрема за процеси, специфични функции вклучуваат:  

1. Полупроводничка опрема за реакција на комората за затегнатост на воздухот

Нашите прстени за запечатување обложени со SIC обезбедуваат димензионалните толеранции (обично во рамките на 0,01мм) на интерфејсот со комората за опрема (на пр. Прирабница, основна вратило) се што е можно помали со прилагодување на структурата на прстенот. 

Во исто време, прстенот за запечатување е прецизен изработен со употреба на CNC машински алати за да се обезбеди униформа вклопување околу целиот обем на контактната површина, елиминирајќи ги микроскопските празнини. Ова ефикасно го спречува истекувањето на процесните гасови (на пр. H₂, NH₃), обезбедува чистота на околината за раст на епитаксичниот слој и го подобрува приносот на нафтата.  

Од друга страна, добрата затегнатост на гасот исто така може да го блокира упад на надворешни загадувачи (O₂, H₂O), со што ефикасно избегнува дефекти во епитаксичниот слој (како што се дислокации, нерамномерно допирање на нечистотии).  

2. Поддршка за динамична запечатување на висока температура  

Adopting the principle of substrate-coating synergistic anti-deformation: due to the graphite substrate's low coefficient of thermal expansion (CTE ≈ 4.5×10-⁶/°C) is very small, and at extreme high temperatures (＞1000 ℃) the expansion is only 1/5 of the amount of metal seals, thus effectively avoiding the sealing surface separation caused by thermal деформација. Во комбинација со ултра-високата цврстина на SIC облогата (HV2500 или повеќе), може ефикасно да одолее на гребнатини на површината за запечатување предизвикана од механичка вибрација или влијанието на честичките и да одржува микроскопска ранелина.

V. препораки за одржување

1. Регуларно проверете го абењето на површината за запечатување (се препорачува квартална оптичка микроскопска инспекција) за да се избегне ненадеен неуспех.  

2. Користете специјални средства за чистење (како што е безводен етанол) за да ги отстраните наслагите, забранувајте механичко мелење за да спречите оштетување на облогата на SIC.