Керамички слој на силикон карбид

Тоа полупроводник Керамички слој на силикон карбиде заштитен слој со високи перформанси, изработен од екстремно тврд и отпорен на абење, силиконски карбид (SIC) материјал, кој обезбедува одлична отпорност на хемиска корозија и стабилност на висока температура. Овие својства се клучни во производството на полупроводници, така што силиконскиот карбид керамички слој е широко користена на клучните компоненти на опремата за производство на полупроводници.

Специфичната улога што ја игра Vetek Semiconductor Silicon Carbide керамички слој во производството на полупроводници екако што следи:

Подобрете ја издржливоста на опремата: Керамичката облога на силиконски карбид обезбедува одлична заштита на површината за опрема за производство на полупроводници со исклучително висока цврстина и отпорност на абење. Особено кај високо-температурата, високо корозивни процесични околини, како што се таложење на хемиска пареа (CVD) и гравирање на плазма, керамичка обвивка од силициум карбид може ефикасно да спречи оштетување на површината на опремата поради хемиска ерозија или физичко носење, со што значително го проширува услужниот век на опремата и намалувањето на времето за заземање предизвикана од честа замена и одржување.

Подобрување на чистотата на процесот: Во процесот на производство на полупроводници, секоја мала загадување може да предизвика дефекти на производот. Хемиската инертност на силиконскиот карбид керамички облога му овозможува да остане стабилна во екстремни услови, да спречи материјалот да ослободи честички или нечистотии и да обезбеди чистота на околината за време на овој процес. Ова е особено важно за производство на чекори за кои е потребна голема прецизност и висока чистота, како што се PECVD и јонска имплантација.

Оптимизирајте го термичкото управување: Во обработката на полупроводници со висока температура, како што е брзата термичка обработка (RTP) и процесите на оксидација, високата термичка спроводливост на керамичката облога на силиконски карбид овозможува униформа дистрибуција на температура во внатрешноста на опремата. Ова помага да се намали термичкиот стрес и деформацијата на материјалот предизвикана од температурните флуктуации, а со тоа да се подобри точноста и конзистентноста на производството на производи.

Поддршка на комплексната процесна околина: Во процесите за кои е потребна сложена контрола на атмосферата, како што се процесите на гравирање на ICP и процесите на гравирање на PSS, стабилноста и отпорноста на оксидацијата на грејачот на керамички облога на силиконските карбид обезбедуваат стабилна изведба на опремата во долгорочно работење, намалувајќи го ризикот од деградација на материјалот или оштетување на опремата за оштетување на животната средина.

Тоа полупроводниксе фокусира на производство и снабдување со високи перформансиКерамички слој на силикон карбид, и е посветена на обезбедување на напредна технологија и решенија за производи за индустријата за полупроводници.Искрено се надеваме дека ќе бидеме ваш долгорочен партнер во Кина.

Основни физички својства наКерамички слој на силикон карбид:

Продавници за керамички обложувалници со полупроводници на полупроводници:

Преглед на синџирот на индустрија за епитакси на полупроводнички чипови: