CVD SIC обложен таван

Тоа полупроводник CVD SIC обложен таваншироко се користи во областа на обработката на полупроводници заради неговите одлични перформанси. Не само што може ефикасно да ја заштити околината на чиста просторија, туку и да ја подобри ефикасноста на производството и да ги намали трошоците за производство. Искрено ја поздравуваме вашата консултација.

Специфичната улога на полупроводникот на ВетекCVD SIC обложен таванВо областа на полупроводничката обработка е како што следува:

Заштита на животната средина чиста просторија:

Анти-загадување: Површината на SIC облогата е мазна и густа, и не е лесно да се adsorb на честички, што ефикасно спречува дифузија на честички во околината на чиста просторија и обезбедува висока чистота на производот.

Хемиска отпорност на корозија: SIC облогата може да одолее на корозијата на силни киселини, силни алкалии и други хемикалии, да ја заштити структурата на таванот и да го прошири животниот век на услугата.

Статичка контрола:

Намалете ја статичката електрична енергија: Помајата SIC има добра спроводливост, што може ефикасно да ја намали генерирањето и акумулацијата на статичката електрична енергија и да ја намали оштетувањето на статичката електрична енергија на уредите за полупроводници.

Термичко управување:

Дисипација на топлина: Високата термичка спроводливост на SIC помага брзо да се расипе топлината, да се намали температурата во чистата просторија и да се обезбеди стабилна работна околина за прецизни инструменти и опрема.

Носат отпор: Продолжете со животниот век на услугата: SIC облогата има екстремно висока цврстина, што може ефикасно да се спротивстави на абење, да го продолжи животниот век на таванот и да ги намали трошоците за одржување.

Во иднина, со континуиран развој на полупроводничка технологија,CVD SIC тавани за обложувањеќе се користи во повеќе полиња, обезбедувајќи посигурни гаранции за развој на индустријата за полупроводници.

Параметар на производот:

CVD SIC обложен таванПродавници за производство:

Преглед на синџирот на индустрија за епитакси на полупроводнички чипови：