Производи

CVD SIC на Vetekemicon CVD SIC, обложена нафора, е врвно решение за епитаксијални процеси на полупроводници, нудејќи ултра-висока чистота (≤100pbb, овластен ICP-E10) и исклучителна термичка/хемиска стабилност за раст на ГАН, СИК и силикони. Инженерски со прецизна CVD технологија, поддржува 6 ”/8”/12 ”нафора, обезбедува минимален термички стрес и издржува екстремни температури до 1600 ° C.

Нашиот SIC обложена планетарна подлотор е основна компонента во процесот на висока температура на производство на полупроводници. Неговиот дизајн комбинира графит подлога со обложување на силиконски карбид за да постигне сеопфатна оптимизација на перформансите на термичкото управување, хемиската стабилност и механичката јачина.

Нашите порозни керамички плочи на SIC се порозни керамички материјали изработени од силиконски карбид како главна компонента и обработени со специјални процеси. Тие се неопходни материјали во производството на полупроводници, таложење на хемиска пареа (CVD) и други процеси.

Нашиот SIC обложен прстен за запечатување за епитакси е компонента за запечатување со високи перформанси заснована на графит или јаглерод-јаглеродни композити обложени со силиконски карбид со висока чистота (SIC) со хемиско таложење на пареата (CVD), која ја комбинира термичката стабилност на графитот со екстремната отпорност на животната средина на SIC, и е дизајниран за Semiconcial Epiitax (E.G.

Нашиот брод со висока чистота кварц е изработен од фузиран кварц (содржина на Sio₂ ≥ 99,99%). Со својата одлична отпорност на екстремни опкружувања, низок коефициент на термичка експанзија и долг животен циклус, тој стана незаменлив клуч што може да се потроши во полупроводникот и новата енергетска индустрија.

Фокус прстен за гравирање е клучна компонента за да се обезбеди точност и стабилност на процесот. Овие компоненти се прецизно собрани во вакуумска комора за да се постигне униформа машинска обработка на структурите на нано -скала на површината на нафтата преку прецизна контрола на дистрибуцијата на плазмата, температурата на работ и униформноста на електричното поле.